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产品简介:
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Micron Technology Inc.(美光科技)生产的存储器型号MT41K512M16TNA-125:E TR是一款DDR4 SDRAM(同步动态随机存取存储器),主要应用于需要高性能内存支持的设备和系统。以下是其典型应用场景: 1. 服务器与数据中心 - 该型号的DDR4 SDRAM以其高带宽和低功耗特性,非常适合用于服务器和数据中心。它能够支持多核处理器的高效运行,满足云计算、大数据分析和虚拟化技术对内存性能的严格要求。 2. 网络通信设备 - 在路由器、交换机和其他网络设备中,这款存储器可以提供快速的数据处理能力,确保数据包转发和复杂网络协议的高效执行。 3. 工业控制与嵌入式系统 - MT41K512M16TNA-125:E TR适用于工业自动化、医疗设备和嵌入式计算平台。这些领域通常需要可靠的内存解决方案来处理实时数据采集、分析和控制任务。 4. 人工智能与机器学习 - 在AI训练和推理过程中,高速内存是关键组件。这款DDR4存储器能够为深度学习框架提供足够的带宽,加速模型训练和预测过程。 5. 高性能计算 (HPC) - 高性能计算系统依赖于强大的内存子系统以完成科学模拟、天气预报和基因组研究等任务。该型号的存储器凭借其卓越的性能表现,成为HPC领域的理想选择。 6. 图形处理与游戏 - 虽然主要用于专业领域,但这款存储器也可用于高端显卡或游戏主机,支持复杂的图形渲染和实时交互体验。 总之,MT41K512M16TNA-125:E TR凭借其先进的技术和稳定的性能,广泛应用于对内存速度、容量和可靠性有较高要求的各种场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 8GBIT 800MHZ FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41K512M16TNA-125:E TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 96-FBGA(10x14) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 8G(512M x 16) |
| 封装/外壳 | 96-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.283 V ~ 1.45 V |
| 速度 | 800MHz |